用于低成本改造光刻设备的UV紫外光源

前言

紫外光刻和曝光是半导体行业生产各种高端芯片、微观电路结构的核心技术。在紫外光刻过程中，光源发射的紫外线通过掩模上的微小透镜或光栅，然后投射到光刻胶层上，形成所需的微细图案。

长期以来，半导体制造领域使用传统大功率汞灯技术用于光刻设备的紫外光源。这种光源虽然输出功率高，但输出光谱范围宽，制造和生产过程中会产生对环境有害的物质，并且工作寿命短，更换周期频繁。

UVLED具有独特的技术优势和成本优势，能够输出稳定且超高功率的UV辐射，并保证长时间和长工作寿命，为半导体制造领域提供了一种理想解决方案。

基于UVLED的独特优势，越来越多的研究实验室使用UVLED光源代替传统汞灯灯箱。但设备的更新换代并不是简单的“钥匙开门”过程，需要考虑更换成本、设备体积以及设备兼容性，更关键的是保证效果稳定。

虹科ALE 1用于改造光刻设备的优异性

虹科高功率紫外光源ALE 1 UVLED光源与准直直泛光曝光光学器件相结合，不仅是将传统掩模对准器灯箱升级到UV-LED技术的多功能和灵活的选择，也是一种经济实惠的解决方案，对学术界和工业界的小型研究实验室具有吸引力。

能量效率

虹科 ALE 1紫外光源比传统汞灯使用更少的能源。从长远来看，这不仅有助于降低能源支出，而且使 UV LED 成为希望减少碳足迹的实验室的更环保的选择

更长的使用寿命

虹科 ALE 1紫外光源比传统汞灯具有更长的使用寿命，意味着它们需要更少的更换和维护频率，从而为实验室节省成本

稳定输出

虹科 ALE 1紫外光源可随着时间的推移提供一致的紫外线输出，无需调整灯泡强度或频繁更换灯泡，确保实验中更高的一致性和准确性，并降低由于不均匀照明而导致的错误风险

灵活的传输控制

虹科 ALE 1紫外光源完美地集成到现代研究实验室设置中。完全可调的输出光谱和最先进的控制接口为高级曝光实验开辟了可能性，并使其易于收集数据和分析结果

减少热量

虹科 ALE 1紫外光源比传统汞灯散发的热量更少，这对于对温度变化敏感的实验是有益的

更安全的使用环境

虹科 ALE 1紫外光源是研究实验室比传统汞灯更安全的选择，因为它们不含汞。汞是一种有毒物质，可能对人体健康和环境有害，在传统灯具中使用汞会带来潜在的暴露风险

利用UVLED进行光刻设备的升级

标准/定制的高透射率液体LED光导可用于连接光源和曝光，可以自由选择最适合的方法，几乎可以将光源和曝光光学器件放置任何位置。所有解决方案均可定制，以完美贴合原有设备。

大面积聚光元件集成方式

透镜组集成方式

改用虹科ALE 1紫外光源作为曝光光源为研究实验室提供了许多好处。它们不仅更节能，使用寿命更长，而且还提供一致的紫外线输出，散发更少的热量，并且对研究人员来说更安全。凭借与数字技术集成的能力，虹科ALE 1紫外光源正成为希望与最新技术进步保持同步的研究实验室的首选。

如果您对适用于您的面罩对准器的经济实惠的 UVLED解决方案感兴趣，请与我们联系。我们将确保更换件与您的特定掩模矫正器型号兼容，并符合必要的性能规格。

虹科高功率紫外光源

虹科ALE/1

虹科ALE/1是代替以往的放电灯的高输出、高稳定的LED光源装置，先进的UVLED光引擎最多可内置5种LED，可输出或定制多个波长（365nm，385nm，405nm，435nm），最高可达到30W输出。LED模块易于更换，可灵活应对应用程序更改，易于集成到新的和现有设置中，是适应未来需求且具备显著所有权成本优势的无汞光源。

虹科ALE/1 UVLED光源可适用于半导体制造（曝光机、先进封装投影光刻机、晶圆边缘曝光、光掩模检查等）、质量保证和检查（NDT），在汽车、电子、光电子、制药和生命科学领域具有广泛的应用市场。

虹科ALE/3

虹科ALE/3光源是代替以往的水银灯的高输出LED紫外线光源装置，可内置2种LED，可选择单光谱设置（365、385、405或435nm）和多光谱设置（365和405nm），高达15 W光输出，是粘合剂硬化及半导体晶片的周边曝光等应用中有效光源方案，是适应未来需求且具备显著所有权成本优势的无汞光源。

虹科ALE/3 UVLED光源是替代汞灯的完美解决方案，适用于半导体制造（曝光机、先进封装投影光刻机、晶圆边缘曝光、光掩模检查等）、质量保证和检查（NDT），在汽车、电子、光电子、制药和生命科学领域具有广泛的应用市场。

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