半导体制造工艺中的虹科光源解决方案（1）
2023年4月25日
半导体工艺制造是发展电子产业的核心，而光刻光源的选择对于半导体制造有至关重要的作用。虹科为您带来用于光刻领域的高功率紫外光源解决方案，为改造传统的紫外线曝光生产工具或设计新的工具提供新的便利。
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ALE/3
先进的紫外发光UVLED光引擎
ALE/3 — 光纤耦合UV-LED光源
产品特点与优势
●高达15 W的光学输出
●LED工业稳定性和TCO优势
●UV, VIS, NIR ，窄带、宽带输出
●无汞！环保安全的LED光源
●易于集成到新的和现有设置中
●可更换LED模块
宽带UV固化
仅使用单波长UV进行固化的缺点是感光材料表面上的固化速度太快，可能会阻止辐射进一步传播到粘合层中，并阻止完全固化。
更长波长的紫外线渗透到紫外线粘合剂中更深，但无粘性表面通常需要365 nm左右的强辐射。
为了产生完全固化的粘合层和完美的表面，您可以使用多种波长的固化模式，在较高波段进行曝光，然后在高强度较低波段完成固化。
基本参数信息
窄带宽设置: 365, 385,405, or 436 nm
应用: 汽车、电子、医学、HPM应用
| 输出辐射强度(mW) | ALE/3.1 ALE/3.1+ | ||
|---|---|---|---|
| 光导 | Ø5.0 | Ø6.5 | Ø8.0 |
| CWL 365 nm | 7,000 | 11,000 | 13,000 |
| CWL 385 nm | 9,500 | 13,000 | 15,000 |
CWL 405 nm | 9,500 | 13,000 | 15,000 |
| 405 nm | 7,000 | 11,000 | 13,000 |
Intensity* [mW/cm2] | 48,000 | 39,000 | 30,000 |
宽带设置:365 – 405 nm
| 输出辐射强度(mW) | ALE/3.2 ALE/3.2+ | ||
|---|---|---|---|
| 光导 | Ø5.0 | Ø6.5 | Ø8.0 |
| CWL 365 nm | 4,000 | 6,500 | 7,500 |
CWL 405 nm | 3,500 | 6,000 | 7,000 |
Broadband | 8,000 | 13,000 | 15,000 |
Intensity [mW/cm2] | 41,000 | 39,000 | 30,000 |
Mecrcury Discharge Lamp (200 W Type) | |||
|---|---|---|---|
CWL 365 nm | 2,000 | 3,000 | 3,000 |
CWL 405 nm | 1,500 | 2,300 | 2,300 |
Broadband | 5,500 | 8,000 | 8,000 |
Intensity [mW/cm2] | 28,000 | 24,000 | 16,000 |
中心波长: 367.5±2.5 nm, 387.5±2.5 nm, 402.5±2.5 nm, and 435.0±2.5 nm。
在光导末端测量的每个发射器的全光谱 (长度1.5 m); 大约 ±10%偏差. 具有抗反射涂层的Ø6.5 mm 光导。
系统参数与规格
发射波长选择 | NUV Narroband: |
数值孔径 | NA 0.6 (2α ~70°) |
输出控制 | + 单个LED电源管理和预设 |
通信接口 | + 触摸显示屏 |
热管理 | 集成式热电冷却系统 |
尺寸 (W H D) | 14.5 X 16.5 X 34 cm |
重量 | 6 kg |
电源供应 | 110-240 VAC / 50-60 Hz / 350 W |
光导选择 | + 液态光导和光纤 |