大型基板UVLED曝光系统
ALE/2 — UV-LED曝光系统
主要特色
●内置解决方案可实现最大曝光效率和性能
●高达70W的i-line曝光（CWL 365 nm）
●高达80W的宽带曝光（350-450 nm）
●闭环控制光输出
●LED工艺稳定性和TCO优势
●无需外部冷却
●无汞！节能环保的LED光源
替代2-5KW汞灯的ALE/2 UV-LED曝光系统
ALE/2曝光光源提供350-450nm范围内的窄带和宽带紫外辐射输出。
虹科 ALE/2 的窄带输出功率高达 70W ，宽带输出功率高达 80W ，完全可替代高功率放电汞灯
分布式设计集成
ALE/2 曝光光源遵循分布式设计方法，通常由一个控制子系统 (CSS) 和一个单独的曝光子系统 (ESS) 组成，ESS可直接接入到曝光系统中。
控制子系统 (CSS)
▪ 可用作 4U 19 英寸机架安装系统
▪ 包括电源、冷却系统和外部接口
曝光子系统(ESS)
创新的光学设计可直接集成到曝光设备中
包括 i、h和 g线发射器，以及 LED 驱动器
出光选择与光学配件
虹科ALE/2曝光光源具有方形16 X 16 mm光出射和NA 0.3非球面聚光镜，透明孔径为50mm。这种设置与许多现有的场透镜设计相结合已经非常有效，可以曝光200mm、300mm、400mm、300 X 300mm，甚至更大的基板，具有出色的准直性和均匀性。
如果其他镜头更适合您的光学设置，可以非常容易地更换聚光镜设置。
虹科工程团队可以为您的个人应用找到经济高效的解决方案。多年来，我们为许多客户提供了定制的LED曝光解决方案，以满足他们的特定需求。
系统参数和规格
365 / 405 /436 nm
Radiation [W]
ALE2 | i-line | Broadband |
标准模式 | 35 | 80 |
性能模式 | 38 | 90 |
汞弧灯
1,000 W | 20 | 40 |
5,000 W | 75 | 150 |
4 NUV-LEDs：365 nm
Radiation [W]
ALE2 | i-line |
标准模式 | 70 |
性能模式 | 80 |
汞弧灯
1,000 W | 20 |
5,000 W | 75 |
中心发射波长: 367.5±2.5 nm, 387.5±2.5 nm, 402.5±2.5 nm, and 435.0±2.5 nm.
输出功率可能会有±10%误差.
发射波长选择 | 4 LEDs with CWL 365 nm, 385 nm, 405 nm, and 436 nm |
数值孔径 | 标准聚光器下：NA 0.3 (2α ~35°) |
输出控制 | + 单个LED电源管理和预设 |
通信接口 | + 离散PLC接口（TTL） |
热管理 | + 带内部散热器的液体冷却 |
尺寸 (W H D) | ESS 21 X 21 X 36 cm (8.3 X 8.3 X 14.2″) |
重量 | ESS 4 kg (9 lbs) |
电池供应 | 110 – 240 VAC / 50 – 60 Hz / 1,500 W |