ALE/3 — 光纤耦合UV-LED光源
●高达15 W的光学输出
●LED工业稳定性和TCO优势
●UV, VIS, NIR ，窄带、宽带输出
●无汞！环保安全的LED光源
●易于集成到新的和现有设置中
●可更换LED模块
仅使用单波长UV进行固化的缺点是感光材料表面上的固化速度太快，可能会阻止辐射进一步传播到粘合层中，并阻止完全固化。
更长波长的紫外线渗透到紫外线粘合剂中更深，但无粘性表面通常需要365 nm左右的强辐射。
为了产生完全固化的粘合层和完美的表面，您可以使用多种波长的固化模式，在较高波段进行曝光，然后在高强度较低波段完成固化。
窄带宽设置: 365, 385,405, or 436 nm
应用: 汽车、电子、医学、HPM应用
| 输出辐射强度(mW) | ALE/3.1 ALE/3.1+ | ||
|---|---|---|---|
| 光导 | Ø5.0 | Ø6.5 | Ø8.0 |
| CWL 365 nm | 7,000 | 11,000 | 13,000 |
| CWL 385 nm | 9,500 | 13,000 | 15,000 |
CWL 405 nm | 9,500 | 13,000 | 15,000 |
| 405 nm | 7,000 | 11,000 | 13,000 |
Intensity* [mW/cm2] | 48,000 | 39,000 | 30,000 |
宽带设置:365 – 405 nm
| 输出辐射强度(mW) | ALE/3.2 ALE/3.2+ | ||
|---|---|---|---|
| 光导 | Ø5.0 | Ø6.5 | Ø8.0 |
| CWL 365 nm | 4,000 | 6,500 | 7,500 |
CWL 405 nm | 3,500 | 6,000 | 7,000 |
Broadband | 8,000 | 13,000 | 15,000 |
Intensity [mW/cm2] | 41,000 | 39,000 | 30,000 |
Mecrcury Discharge Lamp (200 W Type) | |||
|---|---|---|---|
CWL 365 nm | 2,000 | 3,000 | 3,000 |
CWL 405 nm | 1,500 | 2,300 | 2,300 |
Broadband | 5,500 | 8,000 | 8,000 |
Intensity [mW/cm2] | 28,000 | 24,000 | 16,000 |
中心波长: 367.5±2.5 nm, 387.5±2.5 nm, 402.5±2.5 nm, and 435.0±2.5 nm。
在光导末端测量的每个发射器的全光谱 (长度1.5 m); 大约 ±10%偏差. 具有抗反射涂层的Ø6.5 mm 光导。
发射波长选择 | NUV Narroband: |
数值孔径 | NA 0.6 (2α ~70°) |
输出控制 | + 单个LED电源管理和预设 |
通信接口 | + 触摸显示屏 |
热管理 | 集成式热电冷却系统 |
尺寸 (W H D) | 14.5 X 16.5 X 34 cm |
重量 | 6 kg |
电源供应 | 110-240 VAC / 50-60 Hz / 350 W |
光导选择 | + 液态光导和光纤 |
紫外光刻和曝光是半导体行业生产各种高端芯片、微观电路结构的核心技术，UVLED为半导体制造领域提供了一种理想解决方案。虹科高功率紫外光源ALE 1 UVLED光源与准直直泛光曝光光学器件相结合，不仅是将传统掩模对准器灯箱升级到UV-LED技术的多功能和灵活的选择，也是一种经济实惠的解决方案，助力学术界和工业界的小型研究实验室应用。
半导体工艺制造是发展电子产业的核心，而光刻光源的选择对于半导体制造有至关重要的作用。上期内容我们介绍了虹科曝光光源在掩膜对准系统和宽带步进系统中的应用。在本篇内容中，我们将继续为您展示虹科曝光光源在半导体领域的其他拓展应用。
具有多波段输出、高稳定性、高输出功率以及高灵活性的虹科UV-LED点光源系统，能够替代固化行业中的传统汞灯与单色LED光源，实现更快速、更一致、更可靠的固化效果，满足汽车、电子、制药等多种行业的不同固化材料、照射面积与应用场景的具体需求。
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