ALE/2 — UV-LED曝光系统
●内置解决方案可实现最大曝光效率和性能
●高达70W的i-line曝光（CWL 365 nm）
●高达80W的宽带曝光（350-450 nm）
●闭环控制光输出
●LED工艺稳定性和TCO优势
●无需外部冷却
●无汞！节能环保的LED光源
ALE/2曝光光源提供350-450nm范围内的窄带和宽带紫外辐射输出。
虹科 ALE/2 的窄带输出功率高达 70W ，宽带输出功率高达 80W ，完全可替代高功率放电汞灯
ALE/2 曝光光源遵循分布式设计方法，通常由一个控制子系统 (CSS) 和一个单独的曝光子系统 (ESS) 组成，ESS可直接接入到曝光系统中。
控制子系统 (CSS)
▪ 可用作 4U 19 英寸机架安装系统
▪ 包括电源、冷却系统和外部接口
曝光子系统(ESS)
创新的光学设计可直接集成到曝光设备中
包括 i、h和 g线发射器，以及 LED 驱动器
365 / 405 /436 nm
Radiation [W]
ALE2 | i-line | Broadband |
标准模式 | 35 | 80 |
性能模式 | 38 | 90 |
汞弧灯
1,000 W | 20 | 40 |
5,000 W | 75 | 150 |
4 NUV-LEDs：365 nm
Radiation [W]
ALE2 | i-line |
标准模式 | 70 |
性能模式 | 80 |
汞弧灯
1,000 W | 20 |
5,000 W | 75 |
中心发射波长: 367.5±2.5 nm, 387.5±2.5 nm, 402.5±2.5 nm, and 435.0±2.5 nm.
输出功率可能会有±10%误差.
发射波长选择 | 4 LEDs with CWL 365 nm, 385 nm, 405 nm, and 436 nm |
数值孔径 | 标准聚光器下：NA 0.3 (2α ~35°) |
输出控制 | + 单个LED电源管理和预设 |
通信接口 | + 离散PLC接口（TTL） |
热管理 | + 带内部散热器的液体冷却 |
尺寸 (W H D) | ESS 21 X 21 X 36 cm (8.3 X 8.3 X 14.2″) |
重量 | ESS 4 kg (9 lbs) |
电池供应 | 110 – 240 VAC / 50 – 60 Hz / 1,500 W |
紫外光刻和曝光是半导体行业生产各种高端芯片、微观电路结构的核心技术，UVLED为半导体制造领域提供了一种理想解决方案。虹科高功率紫外光源ALE 1 UVLED光源与准直直泛光曝光光学器件相结合，不仅是将传统掩模对准器灯箱升级到UV-LED技术的多功能和灵活的选择，也是一种经济实惠的解决方案，助力学术界和工业界的小型研究实验室应用。
半导体工艺制造是发展电子产业的核心，而光刻光源的选择对于半导体制造有至关重要的作用。上期内容我们介绍了虹科曝光光源在掩膜对准系统和宽带步进系统中的应用。在本篇内容中，我们将继续为您展示虹科曝光光源在半导体领域的其他拓展应用。
具有多波段输出、高稳定性、高输出功率以及高灵活性的虹科UV-LED点光源系统，能够替代固化行业中的传统汞灯与单色LED光源，实现更快速、更一致、更可靠的固化效果，满足汽车、电子、制药等多种行业的不同固化材料、照射面积与应用场景的具体需求。
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